Rambus在三星14/11nm的HBM2E解决方案扩展其高性能内存子系统产品

Rambus在三星14/11nm的HBM2E解决方案扩展其高性能内存子系统产品

新闻摘要：

·拥有无与伦比的系统专业知识作为后盾，为客户提供中介层和封装参考设计支持，以加快产品上市时间

完全集成的，可投入生产的Rambus HBM2E内存子系统以3.2 Gbps的速度运行，为设计人员在平台实现上提供了很大的裕量空间。 Rambus和三星合作，通过利用三星的14/11nm工艺和先进的封装技术对HBM2E PHY和内存控制器IP核进行硅验证。

Rambus HBM2E内存接口（PHY和控制器）的优点：

·作为IP授权的一部分，提供包含2.5D封装和中介层参考设计

·支持高性能应用程序，包括最先进的AI / ML训练和高性能计算（HPC）系统

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