ADI高功率硅开关可节省大规模MIMO RF前端设计中的偏置功率和外部组件

ADI高功率硅开关可节省大规模MIMO RF前端设计中的偏置功率和外部组件

在时分双工 （TDD） 系统中，天线接口纳入了开关功能，以隔离和保护接收器输入免受发送信号功率的影响。该开关功能可直接在天线接口上使用 （在功率相对较低的系统中，如图 1 所示），或在接收路径中使用 （针对较高功率应用，如图 2 所示），以保证正确接至双工器。在开关输出上设有一个并联支路将有助改善隔离性能。

图 1.天线开关。

图 2.LNA 保护开关。

图 3.PIN 二极管开关。

图 4.ADRV9008/ADRV9009 硅开关。

图 5.基于 PIN 二极管的开关设计与硅开关的并排比较。

ADI 的高功率硅开关能够处理高达 80 W 的 RF 峰值功率，这足以满足大规模 MIMO 系统的峰值平均功率比要求，并留有裕量。表 1 列出了 ADI 专为不同的功率级别和各种封装类型而优化的高功率硅开关系列。这些器件继承了硅技术的固有优势，而且与替代方案相比，可实现更好的 ESD 坚固性和降低部件与部件间的差异。

表 1.ADI 新推出的高功率硅开关系列

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