瑞萨电子推出全球首款用于汽车的28nm工艺的集成闪存微控制器

瑞萨电子推出全球首款用于汽车的28nm工艺的集成闪存微控制器

新款RH850/E2x 系列MCU的主要性能

超强处理性能，实现环保汽车所需的复杂车辆控制

用于网联汽车的大容量闪存支持先进的OTA软件更新

用于自动驾驶汽车的增强型的功能安全性

为达到ISO26262 汽车电子/电气系统功能安全标准中的最高级别ASIL-D标准，RH850/E2x系列产品采用双核锁步架构，保证两颗处理内核的运算结果完全一致。RH850/E2x最高可提供4组互锁双核，并具备诸多硬件的功能安全性改进。在生命攸关的应用中，这些功能会在故障发生时立即检测到问题，并时刻维持系统的安全。瑞萨电子将提供安全分析工具来帮助实现各种适用于不同应用场景的安全系统。

继于2015年2月28nm嵌入式闪存的工艺开发公布后，瑞萨电子于2016年9月宣布与台积电合作生产28nm MCU。今日向市场推出全球第一款28nm嵌入式闪存MCU，将成为瑞萨电子的另一个重要里程碑。瑞萨电子已经验证了在16/14nm及下一代MCU产品上应用鳍状MONOS闪存技术。作为全球领先的汽车半导体解决方案供应商，瑞萨电子致力于用科技创新来推动行业发展并建设一个安全可靠的汽车社会。

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