长江存储成功将Xtacking技术应用于其第二代3D NAND产品的开发

长江存储成功将Xtacking技术应用于其第二代3D NAND产品的开发

长江存储称，数据产生的能力和贮存能力的增长是严重不对等的，2020年左右将产生47ZB（泽字节，470万亿亿比特），2025会是162ZB。虽然多数数据可能是垃圾，但存储公司没有选择性，其唯一目标就是尽可能多地保存下来。

长江存储将NAND闪存的三大挑战划归为I／O接口速度、容量密度和上市时机，此次的Xtacking首要是提高I／O接口速度，且顺带保证了3D NAND多层堆叠可达到更高容量以及减少上市周期。

那么长江存储是如何实现的呢？

官方称，传统3D NAND架构中，外围电路约占芯片面积的20～30％，降低了芯片的存储密度。随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高，外围电路可能会占到芯片整体面积的50％以上。Xtacking技术将外围电路置于存储单元之上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度（长江的64层密度仅比竞品96层低10～20％）。

在NAND获取到更高的I／O接口速度及更多的操作功能的同时，产品开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短20％，从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间。

应用

长江存储称，已成功将Xtacking技术应用于其第二代3D NAND产品的开发。该产品预计于2019年进入量产，现场给出的最高工艺节点是14nm。

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