手机接口的ESD保护设计

手机接口的ESD保护设计

传统上，芯片制造商一直试图维持HBM要求的2，000V水平。从成本效益比的角度来看，这已经被证明是件很难做到的事。从图1可以看出，随著制造技术转向90nm以下，将ESD保护水平维持在2，000V的成本，已开始以指数级上升。因此，现在新的目标是降低芯片上的ESD保护水平，但维持相同的高制造良率水平。

目前普遍接受的关键ESD保护电压水平约为500V。在这一水平，芯片成本增加得较合理，良率水平也不会受到损害。这是因为典型的晶圆厂和装配车间有将ESD限制在500V或以下的政策。

该IEC规范已被许多应用制造商(手机、智能电话、MP3播放器等)使用来确保其产品可靠地工作，以及不会遭受早期失败。这一规范的ESD保护电压水平高很多，因此与HBM不兼容。HBM规范要求的测试集中在500V。另一方面，IEC中的空气放电方法要求的测试可以超过15，000V。

目前业内最常见的板级ESD保护器件主要有以下三种，它们的关键属性如下。

硅保护阵列(SPA)：这类分立和多通道器件设计用于保护数据线和I/O线免受ESD和低级别瞬态浪涌的伤害。它的关键特性是非常低的钳位电压，这允许它们保护最敏感的电路。

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